2．晶體諧振器，要達(dá)到穩(wěn)定性好，要求串聯(lián)諧振電阻既要小又要一致性好，同時(shí)激勵(lì)功率變化帶來(lái)的阻抗變量越小，晶體的諧振點(diǎn)容易一致，這樣外圍電路調(diào)試比較容易，使產(chǎn)品更穩(wěn)定，那么具體如何實(shí)現(xiàn)呢？第一，用Q值（Q值是等效電路中動(dòng)態(tài)臂諧振時(shí)的品質(zhì)因數(shù)，振蕩電路所能獲得的最大穩(wěn)定性直接與電路中晶體的Q值相關(guān)。Q值越高，晶體帶寬越小，電抗值變化越陡，外部電抗對(duì)晶體影響越小）高的水晶材料，能降低串聯(lián)電阻，同時(shí)控制膠量的勻稱性；第二，要求生產(chǎn)車間凈化程度很高，能減少本體之外的灰塵附著物帶來(lái)的干擾，降低阻抗變量；第三，成品測(cè)試將并聯(lián)諧振電阻和DLD值（功率改變引起的阻抗變量）控制在相對(duì)更小的范圍內(nèi)。

3．根據(jù)經(jīng)驗(yàn)及晶體本身的特性總結(jié)出：第一，在使用過(guò)程中，外圍匹配電容（包括雜散電容）愈接近晶體標(biāo)稱電容，電路形成的振蕩頻率愈接近標(biāo)稱頻率。電路的穩(wěn)定性由晶體本身和外圍電路共同決定，最佳電路應(yīng)讓工作頻率高與標(biāo)準(zhǔn)頻率8PPM左右，因?yàn)轭l率每年都要下降3PPM左右即年老化率，這樣才能保證電路中振蕩頻率在5年內(nèi)準(zhǔn)確度很高；第二，晶體在使用中還要具有一定的溫度穩(wěn)定性和抗震性及可焊性，如何實(shí)現(xiàn)？1）提高晶片加工精度，降低晶體封閉殼中氮?dú)獾穆饵c(diǎn)，通過(guò)高低溫測(cè)試試驗(yàn)；2）生產(chǎn)上，用優(yōu)質(zhì)膠，點(diǎn)勻和及時(shí)烤膠，檢查剔除有崩邊的晶片，通過(guò)跌落和機(jī)械振動(dòng)測(cè)試（100-20000G）試驗(yàn),提高包裝保護(hù)；3）同時(shí)增加240±10℃和5S條件下的耐高溫測(cè)試。

4．晶體振蕩器分直插（DIP-14,DIP-8）和SMD貼片。直插式的一般為非三態(tài)線路，有需求可選三態(tài)規(guī)格，SMD式的為三態(tài)線路輸出。在使用中DIP系列1#角在無(wú)特殊說(shuō)明時(shí)為斷開(kāi)的，靜電對(duì)DIP破壞性較小。SMD系列1#角內(nèi)部相連，外接時(shí)需斷開(kāi)，靜電對(duì)其破壞最大，容易擊穿IC，須作靜電保護(hù)；另外，SMD系列晶振在焊接過(guò)程中不要溫度過(guò)高，時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，一般控制在260℃±5℃，少于5秒。還應(yīng)注意SMD晶振兩側(cè)有的會(huì)有DLD測(cè)試線，焊接時(shí)不能與任意焊點(diǎn)相連。晶振在使用中電壓分5V，3.3V，1.8V等不能兼容，否則會(huì)不穩(wěn)定。

5．隨著石英晶振的被廣泛應(yīng)用到各種高端設(shè)備中，對(duì)其要求也越來(lái)越高，壓控晶體振蕩器(VCXO),溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）及恒溫晶體振蕩器（OCXO）的需求逐步上升。VCXO是可以利用電壓變化來(lái)調(diào)整輸出頻率。（VT-TCXO壓控溫補(bǔ)振蕩器）TCXO是包含一個(gè)溫度感應(yīng)電路，在溫度發(fā)生變化是調(diào)整輸出頻率，是輸出的頻率隨溫度變化的偏差降低了，從而使其在一定的溫度范圍內(nèi)保持較高的頻率穩(wěn)定度，一般精度要求在0-3PPM之內(nèi)的做成這種。OCXO具有更高的穩(wěn)定性，而且有更低的相位噪聲，精度更高，它是通過(guò)內(nèi)部的恒溫槽維持晶體溫度的穩(wěn)定。

晶振的檢驗(yàn)技術(shù)和質(zhì)量控制

(一）表晶，常規(guī)標(biāo)準(zhǔn)頻率誤差是+/-20PPM，阻抗是30-40KΩ，但我們實(shí)際檢驗(yàn)控制為：Φ3*8分為A:±5PPM /15KΩ；B:±10PPM /15KΩ；C:±15PPM /18KΩ

Φ2*6（32.768K)分為A:±5PPM /25KΩ；B:±10PPM /28KΩ；C:±15PPM /30KΩ

客戶可以根據(jù)需求選擇表晶，要求高的可以選擇誤差和阻抗小的，如A或B。

（二）晶體諧振器：常規(guī)標(biāo)準(zhǔn)是頻率+/-30PPM,加嚴(yán)控制為+/-20PPM阻抗因頻率不同而變，2007年以前:A表格，今天參數(shù)控制是B表格所顯示的：

A表格

49S晶體		49U晶體
頻率	阻值	頻率	阻值
3.579545M /4M	≤120Ω	1.8432M	≤500Ω
4.1M~5M	≤90Ω	2M	≤300Ω
5.1M~8M	≤60Ω	2.4576M	≤150Ω
8.1M~10M	≤50Ω	3M/3.2768M	≤120Ω
10.1M~12M	≤40Ω	3.579545M	≤90Ω
12.1M~30M	≤30Ω	4M	≤80Ω
30M以上	≤30Ω	4.1M~6M	≤60Ω
48M(泛音)	80-100	6.1M~7M	≤50Ω
		8M~10M	≤40Ω
		10.1M~20	≤30Ω

B表格

49S晶體		49U晶體
頻率	阻值	頻率	阻值
3.579545M	≤95Ω	1.8432M	≤300Ω
3.6864M	≤80Ω	2.097152M	≤200Ω
4.000M/4.032M	≤80Ω	3.072M	≤90Ω
4.096M	≤75Ω	3.200M	≤60Ω
4.433619M	≤70Ω	3.579545M	≤65Ω
4.8970M	≤65Ω	4M	≤40Ω
5.000M	≤60Ω	5.000MM	≤30Ω
5.350M	≤50Ω	6.000M	≤20Ω
6.000M	≤40Ω	6.144M	≤20Ω
6.9567M-10M	≤30Ω	10.000M	≤20Ω
10.6M	≤20Ω	11.0592M	≤15Ω
10.8M	≤25Ω	15.360M	≤12Ω
11.0592M	≤25Ω	18.432M	≤10Ω
12.000M-18.432M	≤15Ω	20.000M	≤10Ω
20.000M-24.576M	≤12Ω
25.000M-27.2M	≤10Ω
28.224M	≤11Ω
28.322M	≤12Ω
30.000M-36.864M	≤15Ω
37.998M	≤20Ω
38.897M	≤20Ω
48.000M	≤45Ω

此外，單單要嚴(yán)格要求這些參數(shù)，還是不夠的，我們?cè)谄渌麉?shù)包括DLD值，Q值等等，對(duì)這些參數(shù)我們通過(guò)權(quán)威檢測(cè)儀器250B進(jìn)行檢測(cè)和控制，確保客戶可以用到質(zhì)量最好的晶體器件。

SMD系列不在一一列舉。

（三）石英 晶體振蕩器：這種產(chǎn)品的在控制上我公司更是相當(dāng)?shù)膰?yán)格，對(duì)每一項(xiàng)參數(shù)都要求是最高的，所有產(chǎn)品參數(shù)我們都會(huì)用PRA1020測(cè)試儀器進(jìn)行測(cè)試控制。另外除了對(duì)行業(yè)參數(shù)所控制的范圍，進(jìn)行加嚴(yán)控制，我們還會(huì)進(jìn)一步增加更為全面的測(cè)試要求，比如一般的標(biāo)準(zhǔn)電壓是5V或是3.3V,除了要在標(biāo)準(zhǔn)電壓下保證誤差，參數(shù)正常，我們還會(huì)在上下限電壓進(jìn)行參數(shù)測(cè)試，5V晶振會(huì)測(cè)到4.5V和5.5V電壓下的頻率誤差，3.3V晶振會(huì)測(cè)到2.97V和3.63V電壓下的頻率誤差，同時(shí)控制其一致性，現(xiàn)場(chǎng)觀看測(cè)試過(guò)程及測(cè)試數(shù)據(jù)表。不同客戶不同要求，客戶可以直接觀看篩選過(guò)程。

另外，為了追求晶振的高穩(wěn)定性，我們對(duì)晶振還要進(jìn)行抗震性和溫度的電性能測(cè)試，在公司備有專業(yè)的高低溫沖擊測(cè)試箱，可以進(jìn)行冷熱溫度沖擊，測(cè)試晶振的耐溫能力；有抗沖擊實(shí)驗(yàn)設(shè)備—LD振動(dòng)臺(tái)，對(duì)晶振的抗震性進(jìn)行試驗(yàn)測(cè)試。我們還將準(zhǔn)備增設(shè)帶電工作高低溫48小時(shí)老化控制設(shè)備。我們公司的宗旨就是把我們帝國(guó)的產(chǎn)品做到精益求精，實(shí)現(xiàn)滿足客戶的高質(zhì)量的要求，讓帝國(guó)晶振真正成為客戶首選。

作者：帝國(guó)科技

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此文關(guān)鍵字：晶振石英晶振振蕩器 VC-TCXO壓控溫補(bǔ)振蕩器

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