皮爾斯振蕩器（圖1）使用一個具有兩個相移的單個反相器電容器和晶體在反饋回路中提供180ºC相移。晶體的電學行為就像是一個電感器。振蕩頻率比晶體的串聯諧振頻率高30ppm至300ppm。如果晶體從電路中移除，石英晶體振蕩器通常會停止振蕩。與串聯振蕩器相比，皮爾斯振蕩器通常啟動較慢，消耗的電流較少。小型便攜式設備（電池供電），包括手持數據輸入終端，利用皮爾斯振蕩器，

串聯振蕩器

通常，串聯振蕩器（圖2）由兩個級聯反相器組成，石英晶振晶體連接在第二反相器輸出和第一反相器輸入之間。這種晶體在電學上表現得就像一個電容器。如果晶體被移除，振蕩器通常將在更高的頻率下自由運行。與皮爾斯振蕩器相比，它的啟動速度更快（通常為100毫秒），并汲取更高的電流。

皮爾斯系列？

晶體或振蕩器類型的選擇主要取決于性能要求。表2總結了皮爾斯振蕩器和串聯振蕩器的性能特征。CX-1V石英晶體具有比CX-1H更高的Q，因為它被密封在抽空的封裝中。CX-1H晶體具有大約3到5倍高的運動電阻（較低的Q），因為它在接近大氣壓的情況下是密封的。

Statek低頻振蕩器CXOLP4SNSM4-8.0M設計的比較

表1。用于基本振蕩電路的推薦Statek晶體

CRYSTAL MODEL	PACKAGE (mm)	FREQUENCY RANGE (Click for Data Sheet)
CX20	2.5 x 1.2	16 MHz to 100 MHz
CX18	1.6 x 1.0	30 MHz to 100 MHz
CX17	4.8 x 3.0	10 MHz to 200 MHz
CX16	2.0 x 1.2	24 MHz to 100 MHz 32 kHz to 180 kHz
CX11	3.2 x 1.5	32 kHz to 240 kHz 14.7456 MHz to 250 MHz
CX11L	3.2 x 1.5	16 MHz to 250 MHz (Telemetry Crystal)
CX11LHG High Shock	3.2 x 1.5	16 MHz to 50 MHz
CX9HT High Temperature	4.1 x 1.5	32 kHz to 160 kHz 14 MHz to 250 MHz
CX4	5.0 x 1.8	30 kHz to 250 kHz 600 kHz to 1.4 MHz 14 MHz to 250 MHz
CX4HG High Shock	5.0 x 1.8	14 MHz to 50 MHz
CX4HT High Temperature	5.0 x 1.8	30 kHz to 250 kHz 600 kHz to 2.5 MHz 14 MHz to 250 MHz
CX1	8.0 x 3.6	10 kHz to 600 kHz 530 kHz to 2.1 MHz 6 MHz to 250 MHz
CX1HG High Shock	8.0 x 3.6	6 MHz to 250 MHz
CX1HT High Temperature	8.0 x 3.6	10 kHz to 600 kHz 530 kHz to 2.1 MHz 6 MHz to 250 MHz
SWCX1 (swept quartz)	8.0 x 3.6	6 MHz to 250 MHz