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來源:http://m.9x9kj.com 作者:帝國科技 2024年04月12

SiTime Endura低功耗SiT5543專用于國防領域
SiTime Endura超級TCXO為航空航天和國防領域提供了100倍的系統(tǒng)可靠性
亮點:
●與OCXOs相比,基于MEMS的SiT5543超級TCXO晶振的可靠性提高100倍,功耗降低2倍,尺寸縮小40%,穩(wěn)定性比傳統(tǒng)tcxo提高20倍
●支持更快、低延遲的數(shù)據(jù)傳輸,并降低動態(tài)環(huán)境中的誤碼率
●無需昂貴、笨重的定制OCXOs,OCXOs對加速度、沖擊和振動高度敏感
SiTime公司今天推出了經(jīng)現(xiàn)場驗證的Endura MEMS加固型超級TCXO溫補晶振系列的新成員SiT5543。這款溫控振蕩器重新定義了航空航天和國防系統(tǒng)的TCXO格局,在充滿挑戰(zhàn)的環(huán)境中具有無與倫比的穩(wěn)定性。SiTime新的加固型SiT5543超級TCXO在-40°C至95°C的溫度范圍內(nèi)提供前所未有的5ppb頻率穩(wěn)定性,即使在快速溫度瞬變和振動情況下也是如此。SiT5543的穩(wěn)定性比現(xiàn)有的公開市場石英TCXOs提高了20倍,后者無法提供優(yōu)于100ppb的穩(wěn)定性。
在SiTime晶振的Super-TCXOs問世之前,設計人員必須使用恒溫控制晶體振蕩器(OCXOs)才能在航空航天和國防系統(tǒng)中實現(xiàn)5 ppb的穩(wěn)定性。然而,石英基OCXOs有幾個缺點。眾所周知,它們昂貴、笨重、脆弱且耗電。SiT5543克服了這些挑戰(zhàn),并為加固系統(tǒng)的設計人員提供了與傳統(tǒng)OXCOs的溫度穩(wěn)定性相當?shù)母眠x擇。與石英ocxo相比,SiT5543的可靠性高100倍、功耗低2倍、尺寸小40%,是高速數(shù)據(jù)通信、軍事網(wǎng)絡、電子系統(tǒng)和航空電子等苛刻應用中ocxo的理想替代品。
SiT5543系列超級TCXO顯著降低了誤碼率、系統(tǒng)尺寸和功耗,同時增強了在惡劣工作條件下的可靠性和操作性能。這款基于MEMS的超級TCXO的技術規(guī)格使安全的時序相關加密技術達到了一個新的水平,可以保護軍用無線電、GPS接收機、導航和制導系統(tǒng)免受干擾。這種新型Endura超級TCXO提供了構成當今航空航天和國防系統(tǒng)主干的高速網(wǎng)絡所需的溫度和振動穩(wěn)定性。SiT5543在滿足苛刻的操作要求方面降低了風險、周期時間和成本,這是由于MEMS技術比傳統(tǒng)石英替代品具有更高的魯棒性。
SiT5443超級TCXO晶振由于其7mmx5mm的小表面貼裝尺寸貼片晶振、低功耗要求和減輕惡劣工作條件影響的獨特能力,降低了設計成本和復雜性。由于它是工廠可編程的,支持1至60MHz的輸出頻率,因此消除了定制振蕩器的高成本、風險和延遲。SiT5543可與I2C數(shù)字控制一起用于動態(tài)頻率調(diào)諧或高級用戶定義補償。數(shù)字控制提供對噪聲不敏感的頻率調(diào)節(jié)和平滑的頻率偏移。
SiT5543 MEMS超級TCXO采用世界一流的半導體工藝制造,具有統(tǒng)計過程控制和6-sigma規(guī)格限制,以確保每個設備開箱即可可靠運行,并滿足實驗室和真實操作條件下的規(guī)格要求。
SiTime Endura低功耗SiT5543專用于國防領域
SiTime Endura低功耗SiT5543專用于國防領域
Endura SiT5543超級TCXO集錦
●1至60MHz可編程輸出頻率
●-40°C至+95°C溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定性為5ppb
●0.3ppb/°C溫度斜率穩(wěn)定性
●0.01ppb/g加速度靈敏度
●每日老化0.5ppb/天
●20年老化率低至150ppb,無需系統(tǒng)級老化補償
●2秒鐘達到溫度范圍內(nèi)的最終穩(wěn)定性
●帶I2C的可選3200ppm數(shù)字控制
●20.000g抗沖擊能力
●典型值110mW。2.5V電源下的功耗
●2.5至3.3V電源 有源晶振
●7.0毫米x 5.0毫米陶瓷表貼封裝
SiTime公司是一家精確計時公司。我們的可編程解決方案提供豐富的功能集,使客戶能夠以更高的性能、更小的尺寸、更低的功耗和更好的可靠性來區(qū)分其產(chǎn)品。隨著超過30億臺設備的出貨,SiTime正在改變計時行業(yè)。
| Device | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Package Size(mm) |
| SiT5155 | 12 standard frequencies | ±0.5 | LVCMOSClipped sinewave | 5.0 x 3.2 10-pin |
| SiT5156 | 1 to 60 MHz | ±0.5±1±2.5 | LVCMOSClipped sinewave | 5.0 x 3.2 10-pin |
| SiT5157 | 60 to 220 MHz | ±0.5±1±2.5 | LVCMOS | 5.0 x 3.2 10-pin |
| SiT5356 | 1 to 60 MHz | ±0.1±0.2±0.25 | LVCMOSClipped sinewave | 5.0 x 3.2 10-pin |
| SiT5357 | 60 to 220 MHz | ±0.1±0.2±0.25 | LVCMOS | 5.0 x 3.2 10-pin |
| SiT5358 | 1 to 60 MHz | ±0.05 | LVCMOSClipped sinewave | 5.0 x 3.2 10-pin |
| SiT5359 | 60 to 220 MHz | ±0.05 (±50 ppb) | LVCMOS | 5.0 x 3.2 10-pin |
| SiT5376 | 1 to 60 MHz | ±0.1±0.2±0.25 | LVCMOSClipped Sinewave | 5.0 x 3.5 10-pin |
| SiT5377 | 60 to 220 MHz | ±0.1±0.2±0.25 | LVCMOS | 5.0 x 3.5 10-pin |
| SiT5501 | 1 to 60 MHz | ±0.01 (±10 ppb)±0.02 (±20 ppb) | LVCMOSClipped sinewave | 7.0 x 5.0 10-pin |
| SiT5503 | 1 to 60 MHz | ±0.005 (±5 ppb) | LVCMOSClipped sinewave | 7.0 x 5.0 10-pin |
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