規(guī)格型號：81349335
頻率：16MHz
尺寸：7050mm
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產(chǎn)品描述：H13-16.000-12-1030-EXT-TR晶振,盧柏低損耗晶體,無線充電器晶振，表面貼裝微處理器晶體，低輪廓，嚴(yán)格的公差和穩(wěn)定性到10ppm，寬頻率范圍。美國盧柏晶振公司，歐美晶振，高精度晶振，無源晶振，貼片晶振，高精度晶振，...

H13-16.000-12-1030-EXT-TR晶振,盧柏低損耗晶體,無線充電器晶振，表面貼裝微處理器晶體，低輪廓，嚴(yán)格的公差和穩(wěn)定性到±10ppm，寬頻率范圍。美國盧柏晶振公司，歐美晶振，高精度晶振，無源晶振，貼片晶振，高精度晶振，6G通訊設(shè)備晶振，無線傳輸晶振，局域網(wǎng)晶振，7050晶振，高品質(zhì)晶振，SMD晶振，石英晶振，小體積晶振，低損耗晶振，北斗衛(wèi)星定位模塊晶振，6G無線網(wǎng)晶振，高精度晶振。

H13-16.000-12-1030-EXT-TR晶振,盧柏低損耗晶體,無線充電器晶振

頻率范圍	6.00 MHz TO 100.00 MHz
振蕩模式	(6.00 TO 50.00 MHz) FUNDAMENTAL (40.00 TO 100.00 MHz) THIRD OVERTONE
頻率容差	±50 PPM MAXIMUM (±10 PPM, ±30 PPM AVAILABLE)
溫度范圍內(nèi)的頻率穩(wěn)定度	±50 PPM MAXIMUM (±10 PPM, ±30 PPM AVAILABLE)
工作溫度范圍	-10°C TO +60°C STANDARD，-30°C TO +85°C EXTENDED
儲存溫度范圍	-40°C TO +85°C
老化	±5 PPM PER YEAR MAX.
負(fù)載電容	12 pF TO 32 pF OR SERIES
等效串聯(lián)電阻	SEE TABLE
并聯(lián)電容	7.0 pF MAXIMUM
驅(qū)動電平	1 µW TO 100 µW
回流條件	260° C FOR 10 s MAX 2 REFLOWS MAX

H13-16.000-12-1030-EXT-TR晶振,盧柏低損耗晶體,無線充電器晶振

深圳市帝國科技有限公司
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