規(guī)格型號(hào)：45778047
頻率：0.75~160.0MHz,160.1~800.0MHz晶振
尺寸：7.0*5.0mm
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產(chǎn)品描述：SHINSUNG晶振,SXO-D-S晶振,SXO-D-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封...

SHINSUNG晶振,SXO-D-S晶振,SXO-D-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

SHINSUNG晶振以顧客為中心，基于價(jià)值的管理，人類(lèi)和諧的價(jià)值
我們認(rèn)為我們的客戶是合作伙伴，并努力滿足并超越他們對(duì)質(zhì)量，客戶服務(wù)和價(jià)值的要求我們是最新的Smd或通孔型晶體單元，時(shí)鐘OSC，TCXO，VCXO，MCF等，并提供高產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，穩(wěn)定性高。
產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子行業(yè)，包括電信，微處理器，汽車(chē)，儀器儀表和醫(yī)療應(yīng)用。
Shinsung SAW Electronics在新的加工和測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)備上的投資確保公司將繼續(xù)提供卓越的設(shè)計(jì)，并提供持續(xù)的新產(chǎn)品流，以滿足客戶在當(dāng)前和未來(lái)的需求。
我們將繼續(xù)追求質(zhì)量管理，為客戶提供高品質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù).
SHINSUNG Crysta成立于1990年,并開(kāi)始生產(chǎn)石英晶振,濾波器,石英晶體振蕩器,向客戶提供最新的最新的新松貼片晶振或通孔型晶振單元,時(shí)鐘有源晶振,溫補(bǔ)晶振等晶振產(chǎn)品,一直以供應(yīng)優(yōu)質(zhì)晶振產(chǎn)品為信念,不斷給社會(huì)創(chuàng)造價(jià)值.SHINSUNG晶振,SXO-D-S晶振,SXO-D-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振.

frequency range		0.75 ~ 160.0MHz	160.1 ~ 800.0MHz	REMARK
frequency stability		± 20ppm ~ ± 100ppm ( overall )
supply voltage V DD		3.3V ± 5%
input current		100 mA max
operating temperature		STD. -10℃ ~ 70℃ / Option : -40℃ ~ 90℃
storage temperature		-55℃ ~ 125℃
aging		±3.0ppm max at +25℃ ±3℃ for first year
intergrate jitter RMS		1.0ps RMS (max)	2.5ps RMS (max)	Intergrated 12KHz to 20MHz
output	swing	0.35Vp-p typ. / 0.25Vp-p min.
	offset voltage	1.25V ± 0.125V
	load	100Ω differential
	rise / fall time	0.7ns typ. / 1.0ns max ( 20% to 80% of output waveform )
phase noise	@10 Hz	-75	-65	offset from carrier
	@100 Hz	-95	-95
	@1 KHz	-125	-120
	@10 KHz	-140	-125
	@100 KHz	-145	-121
start up time		10 mS MAX
Tristate		enable : 0.7 V DD (min) / disable : 0.3 V DD (max)
All specifications are subject to change without notice

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號(hào) 焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類(lèi)型，C-2-類(lèi)型，C-4-類(lèi)型 +280°C或低于@最大值5 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。SHINSUNG晶振,SXO-D-S晶振,SXO-D-S-33ST-30HZ-155.520MHz晶振.

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