規(guī)格型號(hào)：6891290
頻率：13.5~350MHZ
尺寸：5.0*7.0mm
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產(chǎn)品描述：SMI晶振,67SMO晶振,SMD晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范...

SMI晶振,67SMO晶振,SMD晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

SMI是Crystal Technology的新興領(lǐng)導(dǎo)者。
我們積極為電子社會(huì)做出貢獻(xiàn)，在穩(wěn)步的研究和努力的基礎(chǔ)上，快速開發(fā)先進(jìn)的水晶產(chǎn)品。
我們專注于最新的SMD版本的晶體單元，時(shí)鐘OSC，TCXO，VCXO，OCXO和MCF。并提供高質(zhì)量和高穩(wěn)定性的產(chǎn)品，支持高可靠性數(shù)據(jù)，頻率范圍從16.000kHz（低）到350.000MHz（高），嚴(yán)格的質(zhì)量控制和嚴(yán)格的運(yùn)輸檢查。
除了SMD版本，我們還可以提供通孔型產(chǎn)品。
SMI Crystal總部位于日本,是一家專業(yè)生產(chǎn)銷售石英晶振,壓電晶體,陶瓷諧振器,有源晶振的知名制造商,能夠提供高質(zhì)量,高穩(wěn)定性的SMI晶振產(chǎn)品.SMI石英晶體振蕩器,產(chǎn)品安全可靠,性能優(yōu)越,價(jià)格合理.SMI晶振,67SMO晶振,SMD晶振.

Item		Specifications
General part number		67SMO* 1
Frequency range		13.500 MHz to 350.000 MHz
Frequency stability (over all conditions)		67SMO(A): ±100 ppm over -20゜C to +70゜C 67SMO(B): ±50 ppm over -20゜C to +70゜C 67SMO(C): ±30 ppm over -20゜C to +70゜C 67SMO(D): ±25 ppm over -20゜C to +70゜C 67SMO(E): ±20 ppm over -20゜C to +70゜C 67SMO(AW): ±100 ppm over -40゜C to +85゜C 67SMO(BW): ±50 ppm over -40゜C to +85゜C 67SMO(CW): ±30 ppm over -40゜C to +85゜C 67SMO(DW): ±25 ppm over -40゜C to +85゜C
Operating Conditions	Operating temperature	-20゜C to +70゜C(Standard) -40゜C to +85゜C(W = Option)
	Supply voltage (V DD )	+2.5V DC ±5%	+3.3V DC ±5%
	Stand-by control voltage (Pin#1)	V IH : 70% V DD min. V IL : 30% V DD max.*
Absolute Max. Ratings	Supply voltage	-0.5V to +5.0V DC
	Storage temperature	-50゜C to +125゜C
Input current (Pin#1 = Open or V IH )		70 mA max.
Stand-by current* 2 (Pin#1 = V IL )		30 μA max.
Output (-40゜C to +85゜C)	Symmetry	45% to 55% at crossing point
	Rise and fall times(20% to 80% of amplitude)	0.7 ns max. (0.3 ns, Typical)
	0 Level	V OL : +1.10V, Typical (+0.9V min.)
	1 Level	V OH : +1.43V, Typical (+1.6V max.)
	Load	100 Ω (OUT-OUTN)
Start-up time		10 ms max.
SSB phase noise (at V DD = +3.3V & 125.000 MHz)		-144 dBc / Hz, Typical at 100 kHz offset
RMS jitter (12 kHz to 20.000 MHz band) (at V DD = +3.3V & 125.000 MHz)		1 ps max.
Disable delay time		200 ns max.
Enable delay time		2 ms max.
Differential output voltage		+0.33Vp-p, Typical (+0.25Vp-p min.)
Aging		±5 ppm max. at +25゜C ±3゜C for first year
Reflow condition		+250゜C ±10゜C for 10 seconds +170゜C ±10゜C for 1 to 2 minutes (preheating)

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號(hào) 焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。SMI晶振,67SMO晶振,SMD晶振.

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